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德國于利希研究中心的研究人員研制出全球首個二維半金屬材料并獲實驗證實。該材料是一種僅允許單一自旋方向（“自旋向上”或“自旋向下”）電子導電的材料。相關成果發表于最新一期《物理評論快報》，標志著新一代高能效自旋電子學材料研究取得重要突破。
半金屬是實現自旋電子器件的關鍵材料。與傳統導體不同，半金屬只允許一種自旋方向的電子通過，因此成為自旋電子學的理想選擇。這一新興的信息技術不僅利用電子的電荷，還能利用其自旋進行數據存儲與處理，而傳統電子技術則只能利用電荷。
然而，以往所有已知半金屬都只能在極低溫環境下工作，而且其表面常常失去所需的特殊電子特性，極大限制了實際應用。現在，研究人員在鈀晶體上構建出一種由鐵和鈀組成、厚度僅為兩個原子的超薄合金，首次實現二維半金屬性。他們借助先進的“自旋分辨動量顯微鏡”技術，精確測量到該合金僅允許一種自旋類型的電子導電，證實了二維半金屬的存在。
研究人員表示，這種材料并不依賴理想的晶體結構，這對于實際生產來說是個極大利好，而且通過調節鐵的含量還能對其電子特性進行精準調控。
過去，人們一直認為自旋軌道耦合（即電子自旋與其運動狀態之間的相互作用）會妨礙半金屬性的形成。但新研究發現，如果將鐵原子帶來的磁交換作用與自旋軌道耦合進行精確平衡，自旋軌道耦合反而有助于實現半金屬性。
這種新材料有望成為構建自旋電子元件（如自旋濾波器、自旋軌道轉矩系統等）的基礎，而這些元件正是磁存儲芯片中實現狀態切換的關鍵所在。更重要的是，該材料在室溫下依然保持有效，并且易于與現有的薄膜技術集成，為其在實際器件中的應用奠定了基礎。
此外，這種材料還具備一項罕見特性，即其電子的自旋極化方向與磁化方向相反。這一特性為未來開發納米級磁性器件提供了新的可能。
來源：科技日報
